太陽能鍺晶片

          公司能夠研發擁有自主知識產權的4英寸和6英寸VGF法單晶生長爐,建成了4英寸和6英寸VGF法“零位錯”太陽能電池用鍺單晶片生產線。

          We invented 4’’ & 6’’ VGF monocrystal furnace with independent intellectual property right, and set up a production line of 4’’ & 6’’ zero EPD VGF germanium wafer producing line.


          鍺晶片技術規格

             生長方法

            Growth Method 

             VGF 

            摻雜類型

            Dopant 

            P型:鎵 

            p-type: Ga 

            N型:砷

            n-type: As

            晶片形狀

            Wafer Shape 

            圓形(尺寸2346英寸)

            Round (DIA: 2’’, 3’’, 4’’6") 

            晶向 

            Surface Orientation * 

            (100)±0.5° 

            * Other Orientations maybe available upon request 

              其他晶向要求可根據客戶需求加工 

            電阻率 

            Resistivity  (Ω.cm) 

            根據客戶要求

            As Required

            位錯 

            Etch Pitch Density (cm2) 

            ≤ 300 

            厚度 

            Thickness (μm) 

            175±25(或根據客戶要求)

            175±25 (or as required) 

            TTV [P/P] (μm) 

            ≤ 10 

            WARP (μm) 

            ≤ 15 

            IF** (mm) 

            32.5±1 

            **If needed by customer 

                根據客戶需要 

            主面拋光

            Surface 

             E/E, P/E, P/G 


          鍺襯底產品營銷中心:
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