砷化鎵晶片 GaAs Wafer

          我們研發并生產的2-6英半導體級以及半絕緣級高純度砷化鎵晶體和晶片被廣泛應用于半導體集成電路以及LED通用照明等領域。

          Our 2’’ to 6’’ semi-conducting & semi-insulating GaAs crystal & wafer are wildly used in semiconductor integrated circuit application & LED general lighting application.


          半導體砷化鎵規格 Specifications of semi-conducting GaAs wafer

          生長方法
            Growth Method 

             VGF 

            摻雜類型
            Dopant 

            P型:鋅 
            p-type: Zn 

            N型:硅
            n-type: Si

            晶片形狀
            Wafer Shape 

            圓形(尺寸2、3、4、6英寸)
            Round (DIA: 2", 3", 4", 6") 

            晶向 
            Surface Orientation * 

            (100)±0.5° 

            * Other Orientations maybe available upon request 
              其他晶向要求可根據客戶需求加工 

          Dopant
          摻雜

          硅 (N 型)
          Si (n-type)

          鋅 (P 型)
          Zn (p-type)

          載流子濃度
          Carrier Concentration (cm-3)

          ( 0.8-4) × 1018

          ( 0.5-5) × 1019

          遷移率 
            Mobility (cm2/V.S.)

          ( 1-2.5) × 103

          50-120

            位錯 
            Etch Pitch Density (cm2) 

           100-5000

          3,000-5,000

          直徑
          Wafer Diameter (mm)

          50.8±0.3

          76.2±0.3

          100±0.3

            厚度 
            Thickness (μm) 

          350±25

          625±25

          625±25

            TTV [P/P] (μm) 

          ≤ 4

          ≤ 4

          ≤ 4

            TTV [P/E] (μm) 

          ≤ 10

          ≤ 10

          ≤ 10

            WARP (μm) 

          ≤ 10

          ≤ 10

          ≤ 10

          OF (mm)

          17±1

          22±1

          32.5±1

          OF / IF (mm)

          7±1

          12±1

          18±1

          Polish*

          E/E,
          P/E,
          P/P

          E/E,
          P/E,
          P/P

          E/E,
          P/E,
          P/P

          *E=Etched, P=Polished(*E=腐蝕, P=拋光)

            **If needed by customer 
                根據客戶需要 


          半絕緣砷化鎵 Specifications of semi-insulating GaAs wafer

          生長方法

            Growth Method 

             VGF 

            摻雜類型

            Dopant 

            SI 型:

          SI Type:  Carbon 

            晶片形狀

            Wafer Shape 

            圓形(尺寸2、3、4、6英寸)

            Round (DIA: 2", 3", 4"6") 

            晶向 

            Surface Orientation * 

            (100)±0.5° 

            * Other Orientations maybe available upon request 

              其他晶向要求可根據客戶需求加工 

            電阻率 

            Resistivity  (Ω.cm) 

          ≥ 1 × 107

          ≥ 1 × 108

          遷移率

          Mobility (cm2/V.S)

          ≥ 5,000

          ≥ 4,000

            位錯 

            Etch Pitch Density (cm2

            1,500-5,000

          1,500-5,000

          晶片直徑

          Wafer Diameter (mm)

          50.8±0.3

          76.2±0.3

          100±0.3

          150±0.3

            厚度 

            Thickness (μm) 

          350±25 

          625±25

          625±25

          675±25 

            TTV [P/P] (μm) 

          ≤ 4

          ≤ 4

          ≤ 4

          ≤ 4

            TTV [P/E] (μm) 

          ≤ 10

          ≤ 10

          ≤ 10

          ≤ 10

            WARP (μm) 

          ≤ 10

          ≤ 10

          ≤ 10

          ≤ 15

          OF (mm)

          17±1

          22±1

          32.5±1

          NOTCH

          OF / IF (mm)

          7±1

          12±1

          18±1

          N/A

          Polish*

          E/E,

          P/E,

          P/P

          E/E,

          P/E,

          P/P

          E/E,

          P/E,

          P/P

          E/E,

          P/E,

          P/P

          *E=Etched, P=Polished (*E=腐蝕, P=拋光)

            **If needed by customer 

                根據客戶需要 


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